https://sdelanounas.ru/blogs/145397/
«НИИЭТ» отчитался по техническому перевооружению производства СБИС и мощных СВЧ-транзисторов
построены чистые производственные помещения 5 и 6 классов общей площадью 1250 м2, где разместились участки, обеспечивающие полный цикл изготовления кристаллов полупроводниковых приборов на основе кремния. Производство пополнилось новыми установками для выполнения химической обработки, фотолитографии на основе степпера Nikon NSR-2205il2D с нормой 0,28 мкм, утончения пластин и плазмохимического травления на белорусской установке Р200 от компании «Стратнанотек».
Сборочное производство «НИИЭТ» обладает широким спектром возможностей, включающим не только корпусирование полупроводниковых приборов и ИС, но и изготовление многокристальных модулей и систем в корпусе. Оно позволяет упаковывать ИС с числом выводов до 1,5 тыс. и обладает мощностью до 200 тыс. изделий в год.
Создание данной площадки также обеспечивает базу для дальнейшего внедрения на предприятии многообещающей технологии постростового производства на основе гетероструктур нитрида галлия. «Развитие мощных СВЧ- и силовых транзисторов на основе кремния подходит к своим предельным возможностям, поэтому всё более широкое применение находят транзисторы на основе гетероструктур GaN, которые по таким параметрам, как рабочая частота, быстродействие, энергоэффективность, более чем на порядок превосходят кремниевые приборы. В построенных чистых помещениях предусмотрены свободные площади, где планируется установить дополнительное технологическое оборудование, которое с учетом уже действующих технологических участков позволит обеспечить замкнутый цикл кристального производства приборов на основе гетероструктур нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 200 мм»
