"Росэлектроника" освоила выпуск твердотельного усилителя мощности в мм-диапазоне
Объединенный холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех освоил производство твердотельного усилителя мощности мм-диапазона длин волн с выходной мощностью более 100 Вт. Конструкторские особенности позволяют модернизировать усилитель под специфические потребности изготовителей различной радиоэлектронной аппаратуры в широком круге задач и в краткие сроки. В настоящее время опытные образцы усилителей проходят климатические и механические испытания. Серийный выпуск планируется начать в IV квартале текущего года.
В ходе разработки прибора специалисты томского предприятия холдинга – АО «НИИ полупроводниковых приборов», решили ряд сложных конструкторских и технологических задач. Изделие уникально для российского рынка благодаря использованию монолитных интегральных схем на нитриде галлия (GaN) и новых теплоотводящих материалов на основе композитов Al-SiC (алюминий – карбид кремния), Ag(серебро)-Алмаз. По совокупности параметров прибор является одним из лучших образцов подобной техники в мире.
Усилитель работает в импульсном режиме, ввод и вывод СВЧ-энергии сигнала осуществляется через волноводные фланцы с сечением 7,2×3,4 мм, обеспечивая усиление в Ка-диапазоне 33-36 ГГц длин волн. Обладает относительно малыми габаритными размерами (220х170х30 мм), массой (до 4 кг) и высоким коэффициентом полезного действия.
GaNтехнологии позволяют существенно уменьшить габариты и вес твердотельного усилителя радара, что очень важно для авиационных и космических применений, где необходима минимизация веса и габаритов радаров, в т. ч. и радаров с АФАР.
«Росэлектроника» объединит тысячи вычислительных машин в суперкомпьютерные сети
Объединенный холдинг «Росэлектроника» (входит в Госкорпорацию Ростех) начал поставки на гражданский рынок коммуникационных адаптеров, способных объединять тысячи компьютеров в высокоскоростные сети для решения суперкомпьютерных задач в области аналитики, прогнозирования и проектирования.
Коммуникационная сеть с кодовым названием «Ангара» позволяет взаимодействовать вычислительным машинам, находящимся как в одном здании, так и на расстоянии в несколько тысяч километров друг от друга. При этом возможности «Ангары» практически безграничны – адаптеры позволяют концентрировать в единой сети мощности до 32 тысяч компьютеров (узлов), в том числе разных производителей и с разной архитектурой центральных процессоров.
Одним из первых гражданских заказчиков новой разработки стал Объединенный институт высоких температур (ОИВТ) РАН - ведущий научный центр России в области современной энергетики и теплофизики. Созданный для института 32-узловой вычислительный кластер с сетью «Ангара» направлен на решение задач в области молекулярной динамики.
«Разработка решает проблему дефицита вычислительных мощностей в отечественной промышленности и науке, - комментирует заместитель генерального директора объединенного холдинга «Росэлектроника» Арсений Брыкин. – Создаваемые сети способны решать множество задач – от прогноза метеорологической обстановки до моделирования запуска космических аппаратов. Что важно, это делается без огромных вложений в строительство новых суперкомпьютерных объектов, на базе уже существующих мощностей».
Основой сети является сетевой адаптер (плата) на базе сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) ЕС8430. По функциональности, производительности и надёжности «Ангара» сопоставима с современными разработками мировых лидеров в этой области - Cray, IBM, Mellanox.
В составе «Росэлектроники» разработку и производство «Ангары» ведет московский «Научно-исследовательский центр электронной вычислительной техники» (НИЦЭВТ).
В Росэлектронике намерены в 2017 году начать выпуск керамических корпусов СВЧ-микросхем
Планарные приемные многоканальные модули АФАР X-диапазона на основе LTCC-керамики
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех собирается освоить в 2017 году серийный выпуск по технологии LTCC керамических корпусов для монолитно-интегральных схем (МИС), работающих в диапазоне частот до 40 ГГц. На сегодня в России не осуществляется выпуск подобных изделий.
В настоящее время томское предприятие холдинга – АО «НИИ полупроводниковых приборов» - осуществляет разработку корпусов, соответствующих зарубежным прототипам - керамическим корпусам типа CLCC (QFN) для поверхностного монтажа LC3, LC3B, LC3C, LC4, LC4B, LC5. Планируется, что до конца 2017 года будет освоена технология серийного производства корпусов, а также групповой автоматической сборки с монтажом кристаллов, герметизации и измерения СВЧ-параметров для широкого круга потребителей.
Керамические корпуса этого типа предназначены для использования в составе гражданской и военной техники различного назначения.
Изделия обеспечивают эффективную защиту кристаллов интегральных микросхем от влияния внешней среды, теплоотвод от кристалла, электрические связи между кристаллом и выводами, что позволяет гарантировать надежность и долговечность аппаратуры.
Корпуса типа СLCC (Ceramic Leadless Chip Carrier, керамический безвыводной кристаллоноситель) являются эффективной альтернативой SMD-корпусам (Surface Mounted Device, прибор, монтируемый на поверхность), которые широко используются в отечественной промышленности, однако обладают неудовлетворительными частотными характеристиками. Преимуществом корпусов СLCC является возможность работы в широком частотном диапазоне, малый габаритный размер, пригодность для автоматического поверхностного монтажа, относительно низкая стоимость.
QFN (Quad Flat Package) — семейство корпусов микросхем, имеющих планарные выводы, расположенные по всем четырём сторонам изделия.
LTCC (Low Temperature Co-Fired Ceramic) – технология низкотемпературной совместно обжигаемой керамики. Устройства, реализованные подобным образом, обладают малыми объемом и массой, широким диапазоном частот и высокой стойкостью к внешним факторам. В России собственными разработками по этой технологии обладают ограниченное число предприятий. В частности, как сообщалось ранее, АО «Омский НИИ приборостроения» (входит в холдинг «Росэлектроника») в 2016 году освоил выпуск интегральных LTCC-фильтров для собственного производства средств связи.
АО «НИИ полупроводниковых приборов» представит свои компетенции в сфере разработки и производства микроэлектронных компонентов на Международной выставке «ЭкспоЭлектроника», которая состоится в МВЦ «Крокус Экспо» (65-66 км МКАД) 25-27 апреля. Объединенный стенд холдинга «Росэлектроника» - павильон 1, зал 3, А405.
http://www.ruselectronics.ru/news/?id=2851